A process chamber (12) is used for plasma etching of a wafer (21) disposed therein. A gas mixture supplied to the chamber eventually passes through openings (28) in a baffle plate (27). After the chamber has been cleaned, several test wafers are etched under conditions which are equivalent, except that a different gas pressure is used for each wafer. The effective etch rates are measured from these wafers, and used to extrapolate a reference curve (141) representing effective etch rate relative to pressure. During subsequent production use of the chamber, a similar procedure is periodically used to generate a test curve (142). The peak values (143, 144) of the reference and test curves are compared (147) to monitor process drift within the chamber. The peak values of respective curves obtained from two or more similar chambers can be compared to evaluate performance differences between the chambers.

Отростчатая камера (12) использована для вытравливания плазмы вафли (21) размещанной в этом. Газовая смесь поставленная к камере окончательн проходит до отверстия (28) в плите дефлектора (27). После того как камера была очищена, несколько вафель испытания вытравлены под условиями которые соответствующи, except that по-разному давления газа использован для каждой вафли. Эффективные тарифы etch измерены от этих вафель, и использованы для того чтобы экстраполировать кривый справки (141) представляя давление эффективного тарифа etch relative to. Во время затем пользы продукции камеры, подобная процедура периодически использована для того чтобы произвести кривый испытания (142). Максимальня значение (143, 144) справки и кривые испытания сравнены (147) к смещению процесса монитора внутри камера. Максимальня значение соответственно кривых полученных от два или более подобные камеры можно сравнить для того чтобы оценить разницы в представления между камерами.