A method of storing data to a memory cell having n states (n being a natural number), the method including storing externally input data in a data storage circuit, executing one of shifting and holding a logic level of data which is stored in the data storage circuit in accordance with data read from the memory cell more than one time by varying a voltage supply to a gate electrode of the memory cell, and executing one of shifting and holding the states of the memory cell in accordance with the data which is stored in the data storage circuit.

Um método de armazenar dados a uma pilha de memória que tem os estados de n (n que é um número natural), o método including armazenar externamente dados de entrada em um armazenamento de dados de circuita, executando um de deslocar e de prender um nível da lógica dos dados que são armazenados no circuito do armazenamento de dados de de acordo com dados lido da pilha de memória mais de uma vez variando uma fonte da tensão a um elétrodo de porta da pilha de memória, e de executar um de deslocar e de prender os estados da pilha de memória de acordo com os dados que são armazenados no circuito do armazenamento de dados de.