A method is provided for forming quantum holes of nanometer levels. In an ion beam scanner, ions are projected from an ion gun onto a semiconductor substrate. During the projection, ions are focused into an ion beam whose focal point is controlled to determine the diameter of the ion beam, and the ion beam is accelerated. When being incident upon the semiconductor substrate, the ion beam is deflected so as to form a plurality of quantum holes. Also provided is a semiconductor for use in a light emitting device with quantum dots. Impurities are doped onto a semiconductor substrate to form a P-type semiconductor layer on which an undoped, intrinsic semiconductor is grown to a certain thickness. A plurality of quantum holes are provided for the intrinsic semiconductor layer, followed by filling materials smaller in energy band gap than the intrinsic semiconductor in annealed quantum holes through recrystallization growth. Next, an N-type semiconductor layer is overlaid on the quantum hole layer. Composition of the materials filled in the quantum holes determines the color of the light emitted from the semiconductor for use in a light emitting device. Thus, the semiconductor is fabricated to emit light of the three primary colors or one of them. By cutting the semiconductor, unit display panels or elements can be prepared which emit radiation at wavelengths corresponding to red, green and blue colors.

Μια μέθοδος παρέχεται για τη διαμόρφωση των κβαντικών τρυπών των επιπέδων nanometer. Σε έναν ανιχνευτή ιονικών ακτίνων, τα ιόντα προβάλλονται από ένα ιονικό πυροβόλο όπλο επάνω σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών. Κατά τη διάρκεια της προβολής, τα ιόντα στρέφονται σε μια ιονική ακτίνα το της οποίας σημείο εστίασης ελέγχεται για να καθορίσει τη διάμετρο της ιονικής ακτίνας, και η ιονική ακτίνα επιταχύνεται. Όταν όντας συναφής επάνω στο υπόστρωμα ημιαγωγών, η ιονική ακτίνα εκτρέπεται ώστε να διαμορφωθεί μια πολλαπλότητα των κβαντικών τρυπών. Επίσης υπό τον όρο ότι είναι ένας ημιαγωγός για τη χρήση σε μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή με τα κβαντικά σημεία. Οι ακαθαρσίες ναρκώνονται επάνω σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών για να διαμορφώσουν ένα στρώμα ημιαγωγών π-τύπων στο οποίο ένας undoped, εγγενής ημιαγωγός αυξάνεται σε ένα ορισμένο πάχος. Μια πολλαπλότητα των κβαντικών τρυπών παρέχεται για το εγγενές στρώμα ημιαγωγών, που ακολουθείται από τα υλικά πλήρωσης μικρότερα στο χάσμα ενεργειακών ζωνών από τον εγγενή ημιαγωγό στις ανοπτημένες κβαντικές τρύπες μέσω recrystallization της αύξησης. Έπειτα, ένα στρώμα ημιαγωγών ν-τύπων επιστρώνεται στο κβαντικό στρώμα τρυπών. Η σύνθεση των υλικών συμπλήρωσε τις κβαντικές τρύπες καθορίζει το χρώμα του φωτός εκπεμπόμενου από τον ημιαγωγό για τη χρήση σε μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή. Κατά συνέπεια, ο ημιαγωγός κατασκευάζεται για να εκπέμψει το φως των τριών αρχικών χρωμάτων ή ένα από τα. Με την κοπή του ημιαγωγού, οι επιτροπές επίδειξης μονάδων ή τα στοιχεία μπορούν να προετοιμαστούν που εκπέμπουν την ακτινοβολία στα μήκη κύματος που αντιστοιχούν στα κόκκινα, πράσινα και μπλε χρώματα.