The present invention relates to a heterojunction bipolar transistor, and comprises a collector region, and a graded profile SiGe base layer overlying the collector region. The transistor further comprises a diffusion blocking layer overlying the graded profile SiGe base layer, and an emitter layer overlying the diffusion blocking layer. The diffusion blocking layer is operable to retard a diffusion of dopants therethrough from the emitter layer to the graded profile SiGe base layer, thereby allowing for a reduction in the thickness of the layer comprising a graded profile SiGe layer and a buffer layer. The thickness reduction allows increased Ge concentration in the base layer and the emitter/base doping profile is improved, each leading to improved transistor performance.

A invenção atual relaciona-se a um transistor bipolar do heterojunction, e compreende-se uma região de coletor, e uma camada baixa classificada de SiGe do perfil que overlying a região de coletor. O transistor mais adicional compreende uma difusão que obstruem a camada que overlying a camada baixa classificada de SiGe do perfil, e uma camada do emissor que overlying a difusão que obstrui a camada. A difusão que obstrui a camada é operável retardar therethrough uma difusão dos dopants da camada do emissor à camada baixa classificada de SiGe do perfil, permitindo desse modo uma redução na espessura da camada que compreende uma camada classificada de SiGe do perfil e uma camada do amortecedor. A redução da espessura permite a concentração aumentada do Ge na camada baixa e o perfil doping de emitter/base é melhorado, cada um que conduz ao desempenho melhorado do transistor.