Procedures, analysis techniques, and correction methods are presented for assessing the electrical properties of the Si layer of silicon-on-insulator substrates. Detailed analysis and equations are outlined in a computer algorithm written in Mathcad for both the linear and saturated regions of FET behavior.

Des procédures, les techniques d'analyse, et les méthodes de correction sont présentées pour évaluer les propriétés électriques de la couche de silicium de substrats d'silicium-sur-isolateur. L'analyse et les équations détaillées sont décrites dans un algorithme d'ordinateur écrit dans Mathcad pour les régions linéaires et saturées du comportement de FET.