A distributed Bragg reflector laser is fabricated wherein material defects are produced in the laser's tuning waveguide region. The defects may be created by introducing impurities into the region. The defects increase the non-radiative recombination rate of injected carriers, thereby decreasing FM efficiency and improving RF performance. Injected carrier electrons are substantially separated from injected carrier holes to reduce bimolecular and Auger recombination rates, thus improving tuning range.

Um laser distribuído do refletor de Bragg é fabricado wherein os defeitos materiais são produzidos na região ajustando do waveguide do laser. Os defeitos podem ser criados introduzindo impurezas na região. Os defeitos aumentam a taxa de recombination non-radiative de portadores injetados, da eficiência desse modo diminuindo de FM e de melhorar o desempenho do RF. Os elétrons injetados do portador são separados substancialmente dos furos de portador injetados para reduzir bimolecular e auger taxas de recombination, assim melhorando a escala ajustando.