Each of MIS transistors of a semiconductor memory device has a semiconductor layer (12); a source region (15) formed in the semiconductor layer; a drain region (14) formed apart from the source region in the semiconductor layer, the semiconductor layer between the source region and the drain region serving as a channel body in a floating state; a first gate (13) which forms a channel in the channel body; a second gate (20) formed so as to control a potential of the channel body by a capacitive coupling; and a high concentration region (21) formed in the channel body on the second gate side, impurity concentration of the high concentration region being higher than that of the channel body.

Κάθε μια από τις κρυσταλλολυχνίες ΠΣΔ μιας συσκευής μνήμης ημιαγωγών έχει ένα στρώμα ημιαγωγών (12) μια περιοχή πηγής (15) διαμόρφωσε στο στρώμα ημιαγωγών μια περιοχή αγωγών (14) διαμόρφωσε εκτός από την περιοχή πηγής στο στρώμα ημιαγωγών, το στρώμα ημιαγωγών μεταξύ της περιοχής πηγής και της περιοχής αγωγών που χρησιμεύουν ως ένα σώμα καναλιών σε ένα επιπλέον κράτος μια πρώτη πύλη (13) που διαμορφώνει ένα κανάλι στο σώμα καναλιών μια δεύτερη πύλη (20) που διαμορφώνεται ώστε να ελεγχθεί μια δυνατότητα του σώματος καναλιών από μια χωρητική σύζευξη και μια υψηλή περιοχή συγκέντρωσης (21) διαμόρφωσε στο σώμα καναλιών από τη δεύτερη πλευρά πυλών, συγκέντρωση ακαθαρσιών της υψηλής περιοχής συγκέντρωσης που είναι υψηλότερης από αυτή του σώματος καναλιών.