Short circuits on the anode side of thyristors can be manufactured easily d inexpensively if a p-doped layer is first generated on the anode side. On it, after an oxide masking and structuring process, grooves (7) are produced, which extend into the base zone (1) of the thyristor on the anode side, in which the short-circuit areas are then generated. After the oxide has been removed, the anode electrode is applied, which contacts the p-doped layer and the short-circuit areas. As an alternative, the short-circuit areas may also be generated first through the openings of a structured oxide. Then, after removal of the oxide, the entire surface is p-doped, with the doping being less than that of the short-circuit areas. Then the anode electrode is applied.

Τα σύντομα κυκλώματα από την πλευρά ανόδων thyristors μπορούν να είναι κατασκευασμένο εύκολα δ ανέξοδα εάν ένα π-ναρκωμένο στρώμα παράγεται αρχικά από την πλευρά ανόδων. Σε το, μετά από ένα οξείδιο που καλύπτει και που κτίζει τη διαδικασία, τα αυλάκια (7) παράγονται, τα οποία επεκτείνονται στη ζώνη βάσεων (1) thyristor από την πλευρά ανόδων, στην οποία οι περιοχές βραχυκυκλώματος παράγονται έπειτα. Αφότου έχει αφαιρεθεί το οξείδιο, το ηλεκτρόδιο ανόδων εφαρμόζεται, το οποίο έρχεται σε επαφή με το π-ναρκωμένο στρώμα και τις περιοχές βραχυκυκλώματος. Σαν εναλλακτική λύση, οι περιοχές βραχυκυκλώματος μπορούν επίσης να παραχθούν πρώτα μέσω των ενάρξεων ενός δομημένου οξειδίου. Κατόπιν, μετά από την αφαίρεση του οξειδίου, η ολόκληρη επιφάνεια π-ναρκώνεται, με τη νάρκωση όντας λιγότερο από αυτή των περιοχών βραχυκυκλώματος. Κατόπιν το ηλεκτρόδιο ανόδων εφαρμόζεται.