The destruction-free rapid dismantling of current of power semiconductor components can be substantially enhanced when the inhibiting pn-junction is produced with a polished surface of the semiconductor body. The pn-junction thus becomes so uniform that local overloads are avoided. As a result, the speed of the dismantling of the current of the power semiconductor can be increased.

Hetvrije snelle ontmantelen van stroom van de componenten van de machtshalfgeleider kan wezenlijk worden verbeterd wanneer de het verbieden pn-verbinding met een opgepoetste oppervlakte van het halfgeleiderlichaam wordt geproduceerd. De pn-verbinding zo wordt zo eenvormig dat de lokale overbelasting wordt vermeden. Dientengevolge, kan de snelheid van het ontmantelen van de stroom van de machtshalfgeleider worden verhoogd.