Within both a method for fabricating a microelectronic fabrication, and the microelectronic fabrication fabricated employing the method, there is first provided a substrate. Within the method, there is then formed over the substrate a patterned bond pad layer. There is then formed over the patterned bond pad layer a barrier layer comprising: (1) a first titanium-tungsten alloy layer; (2) a titanium-tungsten alloy nitride layer formed upon the first titanium-tungsten alloy layer; and (3) a second titanium-tungsten alloy layer formed upon the titanium-tungsten alloy nitride layer. Finally, there is then formed upon the barrier layer a seed layer which comprises a titanium layer formed upon the barrier layer. The method contemplates a microelectronic fabrication fabricated employing the method. The barrier layer provides enhanced barrier properties within the microelectronic fabrication within which is formed the barrier layer.

Και μέσα σε μια μέθοδο για μια μικροηλεκτρονική επεξεργασία, και στη μικροηλεκτρονική επεξεργασία που κατασκευάζεται υιοθέτηση της μεθόδου, παρέχεται αρχικά ένα υπόστρωμα. Μέσα στη μέθοδο, διαμορφώνεται έπειτα πέρα από το υπόστρωμα ένα διαμορφωμένο στρώμα μαξιλαριών δεσμών. Διαμορφώνεται έπειτα πέρα από το διαμορφωμένο στρώμα μαξιλαριών δεσμών ένα στρώμα εμποδίων περιλαμβάνοντας: (1) ένα πρώτο στρώμα κραμάτων τιτάνιο-βολφραμίου (2) ένα στρώμα νιτριδίων κραμάτων τιτάνιο-βολφραμίου που διαμορφώνεται επάνω στο πρώτο στρώμα κραμάτων τιτάνιο-βολφραμίου και (3) ένα δεύτερο στρώμα κραμάτων τιτάνιο-βολφραμίου που διαμορφώνεται επάνω στο στρώμα νιτριδίων κραμάτων τιτάνιο-βολφραμίου. Τέλος, διαμορφώνεται έπειτα επάνω στο στρώμα εμποδίων ένα στρώμα σπόρου που περιλαμβάνει ένα στρώμα τιτανίου που διαμορφώνεται επάνω στο στρώμα εμποδίων. Η μέθοδος συλλογίζεται μια μικροηλεκτρονική επεξεργασία που κατασκευάζεται υιοθέτηση της μεθόδου. Το στρώμα εμποδίων παρέχει τις ενισχυμένες ιδιότητες εμποδίων μέσα στη μικροηλεκτρονική επεξεργασία μέσα στην οποία διαμορφώνεται το στρώμα εμποδίων.