The present invention provides a method for depositing nano-porous low
dielectric constant films by reacting an oxidizable silicon containing
compound or mixture comprising an oxidizable silicon component and an
oxidizable non-silicon component having thermally labile groups with
nitrous oxide, oxygen, ozone, or other source of reactive oxygen in
gas-phase plasma-enhanced reaction. The deposited silicon oxide based film
is annealed to form dispersed microscopic voids that remain in a
nano-porous silicon oxide based film having a low-density structure. The
nano-porous silicon oxide based films are useful for forming layers
between metal lines with or without liner or cap layers. The nano-porous
silicon oxide based films may also be used as an intermetal dielectric
layer for fabricating dual damascene structures. Preferred nano-porous
silicon oxide based films are produced by reaction of
methylsilyl-1,4-dioxinyl ether or methylsiloxanyl furan and
2,4,6-trisilaoxane or cyclo-1,3,5,7-tetrasilylene-2,6-dioxy-4,8
dimethylene with nitrous oxide or oxygen followed by a cure/anneal that
includes a gradual increase in temperature.
De onderhavige uitvinding voorziet een methode om nano-poreuze lage diëlektrische constantefilms door een reagerend oxydeerbaar silicium samenstelling of mengsel bevatten bestaand uit een oxydeerbare siliciumcomponent en een oxydeerbare niet-siliciumcomponent te deponeren die thermaal labiele groepen hebben van lachgas, zuurstof, ozon, of andere bron van reactieve zuurstof in gas-phase plasma-verbeterde reactie. De gedeponeerde siliciumoxyde gebaseerde film wordt onthard om verspreide microscopische leegten te vormen die in een nano-poreuze siliciumoxyde gebaseerde film blijven die een structuur heeft met geringe dichtheid. De nano-poreuze siliciumoxyde gebaseerde films zijn nuttig om lagen tussen metaallijnen met of zonder voering of GLBLAGEN te vormen. De nano-poreuze siliciumoxyde gebaseerde films kunnen ook als intermetal diëlektrische laag worden gebruikt voor het vervaardigen van dubbele damascenestructuren. De aangewezen nano-poreuze siliciumoxyde gebaseerde films worden geproduceerd door reactie van ether methylsilyl-1,4-dioxinyl of methylsiloxanylfuran en 2,4,6-trisilaoxane of cyclo-1.3.5.7-tetrasilylene-2.6-dioxy-4.8 dimethylene met lachgas of de zuurstof die door een behandeling wordt gevolgd/onthardt die een geleidelijke verhoging van temperatuur omvat.
