Provided are highly reliable information processing equipment enabling a high recording density, and a blue color, blue-violet color and violet color based semiconductor light emitting device operable at a low threshold current density, which device is suitable for the information processing equipment. According to the present invention, there can be realized highly reliable optical information processing equipment enabling high recording density, which is capable of sufficiently recording or reproducing a dynamic image in or from a high-definition TV. An n-type impurity is doped in a barrier layer of a quantum-well active layer of a semiconductor light emitting device at a high density. Alternatively, the oriented plane of a quantum-well active layer of a semiconductor light emitting device is inclined from the (0001) plane, whereby the threshold current value of the semiconductor light emitting device can be reduced. The semiconductor light emitting device is represented by a gallium nitride based compound semiconductor laser device.

При условии высоки обрабатывающее оборудование надежныа сведения включающ высокую плотность записи, и голубой цвет, голуб-lilovy1 цвет и цвет фиолета основали приспособление полупроводника светлое испуская действующее на текущей плотности низкийа порог, которая приспособление целесообразно для обрабатывающего оборудования информации. Согласно присытствыющему вымыслу, может быть осуществлянное высоки надежное оптически обрабатывающее оборудование информации включающ высокую плотность записи, которой будет способен достаточно записывать или воспроизводить динамическое изображение в или от high-definition tv. Примесь н-tipa дана допинг в слое барьера слоя summy-nailucwim образом активно приспособления полупроводника светлого испуская на высокой плотности. Друг, ориентированная плоскость слоя summy-nailucwim образом активно приспособления полупроводника светлого испуская inclined от (0001) плоскости, whereby текущую стоимость порога приспособления полупроводника светлого испуская можно уменьшить. Приспособление полупроводника светлое испуская представлено приспособлением лазера составного полупроводника галлия основанным нитридом.

 
Web www.patentalert.com

< Epitaxial growth substrate and a method for producing the same

< Method for fabricating semiconductor light emitting device

> Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity

> Light emitting device with blue light LED and phosphor components

~ 00066