The use of ferrimagnetic materials is proposed for use in magnetic devices. Such magnetic devices include magnetic tunnel junctions (MTJ) which have at least two magnetic layers separated by an insulating barrier layer, wherein at least one of the two magnetic layers is ferrimagnetic. Such MTJ's are used in MRAM (magnetic random access memory) structures. Where the magnetic device is a magnetic sensor, it preferably includes a layer that comprises a ferrimagnetic material separated from another magnetic layer by a barrier layer and the magnetizations of the magnetic layer are oriented at an angle to one another.

O uso de materiais ferrimagnetic é proposto para o uso em dispositivos magnéticos. Tais dispositivos magnéticos incluem as junções magnéticas do túnel (MTJ) que têm ao menos duas camadas magnéticas separadas por uma camada de barreira isolando, wherein ao menos uma das duas camadas magnéticas é ferrimagnetic. Tal MTJ é usado em estruturas de MRAM (memória de acesso aleatório magnética). Onde o dispositivo magnético é um sensor magnético, inclui preferivelmente uma camada que compreenda um material ferrimagnetic separado de uma outra camada magnética por uma camada de barreira e as magnetizações da camada magnética sejam orientadas em um ângulo a um outro.