A method for forming a Ta.sub.2 O.sub.5 dielectric layer using plasma enhanced atomic layer deposition, which can improve the quality of a layer and its electric property by forming a Ta.sub.2 O.sub.5 dielectric layer using a plasma enhanced atomic layer deposition. The method for forming a Ta.sub.2 O.sub.5 dielectric layer using plasma enhanced atomic layer deposition, comprising the steps of: a) flowing Ta(OC.sub.2 H.sub.5).sub.5 source gas in a chamber and generating plasma; b) depositing a Ta.sub.2 O.sub.5 layer by using the plasma; c) purging the chamber; d) repeatedly performing the steps a) to c) in order to form a Ta.sub.2 O.sub.5 dielectric layer; e) thermally treating the surface of the Ta.sub.2 O.sub.5 dielectric layer in an oxygen atmosphere; and f) crystallizing the Ta.sub.2 O.sub.5 dielectric layer.

Метод для формировать слой Ta.sub.2 O.sub.5 диэлектрический используя плазму увеличил атомное низложение слоя, которое может улучшить качество слоя и своего электрического свойства путем формировать слой Ta.sub.2 O.sub.5 диэлектрический использующ увеличенное плазмой атомное низложение слоя. Метод для формировать слой Ta.sub.2 O.sub.5 диэлектрический используя плазму увеличил атомное низложение слоя, состоя из шагов: a) пропуская газ источника Ta(OC.sub.2 H.sub.5).sub.5 в камере и плазме производить; б) депозируя слой Ta.sub.2 O.sub.5 путем использование плазмы; ч) продувая камеру; д) повторно выполняя шаги a) к ч) для того чтобы сформировать слой диэлектрика Ta.sub.2 O.sub.5; е) термально обрабатывая поверхность слоя Ta.sub.2 O.sub.5 диэлектрического в атмосфере кислорода; и ф) выкристаллизовывая слой диэлектрика Ta.sub.2 O.sub.5.