A level of a solid state memory device includes main memory and address logic. The address logic is programmed by causing current to flow through an address element of the logic; and irradiating the address element so that the address element changes resistance states.

Un niveau d'un bloc de mémoires à semi-conducteurs inclut la logique de mémoire centrale et d'adresse. La logique d'adresse est programmée en faisant traverser le courant un élément d'adresse de la logique ; et irradiant l'élément d'adresse de sorte que l'élément d'adresse change des états de résistance.