The present invention is a method for integrating an anti-reflection layer and a salicide block. The method comprises the following steps: A substrate is provided that is divided into at least a sensor area and a transistor area, wherein the sensor area comprises a doped region and the transistor area comprises a transistor that includes a gate, a source and a drain; forming a composite layer on the substrate, wherein the composite layer at least also covers both the sensor area and the transistor area, and the composite layer increases the refractive index of light that propagates from the doped region into the composite layer; performing an etching process and a photolithography process to remove part of the composite layer and to let top of the gate, the source and the drain are not covered by the composite layer; and performing a salicide process to let top of the gate, the source and the drain are covered by a silicate. One main characteristic of the invention is that the composite layer can be used as an anti-reflection layer of the sensor area and a salicide block of the transistor region. The composite layer is made of several basic layers and refractive index of any basic layer is different from refractive indexes of adjacent basic layers.

A invenção atual é um método para integrar uma camada do anti-reflection e um bloco do salicide. O método compreende as seguintes etapas: Uma carcaça é contanto que é dividido ao menos em uma área do sensor e em uma área do transistor, wherein a área do sensor compreende uma região doped e a área do transistor compreendem um transistor que inclua uma porta, uma fonte e um dreno; dar forma a uma camada composta na carcaça, wherein a camada composta ao menos cobre também a área do sensor e a área do transistor, e à camada composta aumenta o índice refractive da luz que propaga da região doped na camada composta; executando um processo gravura a água-forte e um processo do photolithography para remover a parte da camada composta e deixe o alto da porta, da fonte e do dreno não são cobertos pela camada composta; e executando um processo do salicide deixe o alto da porta, da fonte e do dreno são cobertos por um silicato. Um cano principal característico da invenção é que a camada composta pode ser usada como uma camada do anti-reflection da área do sensor e um bloco do salicide da região do transistor. A camada composta é feita de diversas camadas básicas e o índice refractive de qualquer camada básica é diferente dos índices refractive de camadas básicas adjacentes.