A method for forming a via through a dielectric layer. There is first provided a substrate. There is then formed over the substrate a patterned conductor layer. There is then formed covering the patterned conductor layer a dielectric layer. There is then formed through the dielectric layer a via to access the patterned conductor layer, where the via is incompletely landed upon the patterned conductor layer. There is then purged the via while employing a vacuum purging method to form a purged via. There is then passivated the purged via and passivated the patterned conductor layer exposed within the purged via while employing a plasma passivation method to form a plasma passivated purged via and a plasma passivated patterned conductor layer. Finally, there is then formed into the plasma passivated purged via a conductor stud layer. Incident to employing the purging of the via to form the purged via and the plasma passivating of the purged via to form the plasma passivated purged via, the conductor stud layer when formed into the plasma passivated purged via is formed with attenuated contact resistance with respect to the plasma passivated patterned conductor layer.

Μια μέθοδος για το α μέσω μέσω ενός διηλεκτρικού στρώματος. Παρέχεται αρχικά ένα υπόστρωμα. Διαμορφώνεται έπειτα πέρα από το υπόστρωμα ένα διαμορφωμένο στρώμα αγωγών. Διαμορφώνεται έπειτα καλύπτοντας το διαμορφωμένο στρώμα αγωγών ένα διηλεκτρικό στρώμα. Διαμορφώνεται έπειτα μέσω του διηλεκτρικού στρώματος α μέσω για να έχει πρόσβαση στο διαμορφωμένο στρώμα αγωγών, όπου μέσω προσγειώνεται ημιτελώς επάνω στο διαμορφωμένο στρώμα αγωγών. Εξαγνίζεται έπειτα μέσω υιοθετώντας μια κενή μέθοδο εξαγνισμού για να διαμορφώσει εξαγνισμένος μέσω. Παθητικοποιούνται έπειτα εξαγνισμένος μέσω και παθητικοποιημένη το διαμορφωμένο στρώμα αγωγών που εκτίθεται μέσα εξαγνισμένος μέσω υιοθετώντας μια μέθοδο παθητικότητας πλάσματος για να διαμορφώσουν ένα πλάσμα που παθητικοποιούνται που εξαγνίζονται μέσω και ένα παθητικοποιημένο πλάσμα διαμορφωμένο στρώμα αγωγών. Τέλος, διαμορφώνεται έπειτα στο πλάσμα που παθητικοποιείται που εξαγνίζεται μέσω ενός στρώματος στηριγμάτων αγωγών. Το γεγονός στην υιοθέτηση του εξαγνισμού μέσω για να διαμορφώσει εξαγνισμένος μέσω και της παθητικοποίησης πλάσματος εξαγνισμένος μέσω για να διαμορφώσει το πλάσμα παθητικοποίησε εξαγνισμένος μέσω, το στρώμα στηριγμάτων αγωγών όταν διαμορφώνεται στο πλάσμα που παθητικοποιήθηκε που εξαγνίστηκε μέσω διαμορφώνεται με τη μειωμένη αντίσταση επαφών όσον αφορά το πλάσμα παθητικοποίησε το διαμορφωμένο στρώμα αγωγών.