A method of forming a semiconductor device having reduced interconnect-line parasitic capacitance is provided. The method includes the following steps. First, a substrate is provided and a plurality of interconnect lines are formed on the substrate. A barrier layer is then formed. Next, the barrier layer is hardened and thinned so as to make the barrier layer having a thin-film attribute. Following that, a separation layer is formed by filling the space between and above the interconnect lines with a dielectric. Then, the dielectric is foamed. After that, an insulating layer is formed. Finally, the dielectric is condensed such that air gaps are formed in the separation layer.

Un método de formar un dispositivo de semiconductor que reduce la interconectar-li'nea capacitancia parásita se proporciona. El método incluye los pasos siguientes. Primero, se proporciona un substrato y una pluralidad de líneas de la interconexión se forma en el substrato. Una capa de barrera entonces se forma. Después, la capa de barrera se endurece y se enrarece para hacer la capa de barrera que tiene una cualidad thin-film. Siguiendo eso, una capa de la separación es formada llenando el espacio entre y sobre las líneas de la interconexión de un dieléctrico. Entonces, se hace espuma el dieléctrico. Después de ésa, se forma una capa de aislamiento. Finalmente, el dieléctrico se condensa tales que los boquetes de aire están formados en la capa de la separación.

 
Web www.patentalert.com

< Method for trimming resin film

< Hydrogen-free contact etch for ferroelectric capacitor formation

> Deionizers with energy recovery

> Recessed bond pad

~ 00063