A film-forming apparatus by means of plasma CVD, comprising at least a vacuum chamber, a power application electrode for introducing a discharging power into said vacuum chamber, and a raw material gas supply means for supplying a film-forming raw material gas into said vacuum chamber, said power application electrode being arranged in said vacuum chamber so as to oppose to a substrate arranged in said vacuum chamber, characterized in that said power application electrode has a reinforcing member or said power application electrode comprises a power application electrode with no reinforcing member which has a thickness which is greater than a distance between said substrate and said power application electrode. A film-forming method using said film-forming apparatus.

Film-forming прибор посредством cvd плазмы, состоя из по крайней мере камеры вакуума, электрода применения силы для вводить разряжая силу в сказанную камеру вакуума, и середин обеспечения газовой смесью сыройа материал для поставлять film-forming газ сыройа материал в сказанную камеру вакуума, сказанный электрод применения силы будучи аранжированным в сказанной камере вакуума сопротивляться к субстрату аранжировал в сказанной камере вакуума, котор характеризуют в что сказанный электрод применения силы имеет усиливая член или сказанный электрод применения силы состоит из электрода применения силы без усиливать член который имеет толщину которая greater than расстояние между сказанным субстратом и сказанным электродом применения силы. Film-forming метод использующ сказанный film-forming прибор.