A method of growing a high quality gallium nitride (GaN) film at a high growth rate, which is used in homoepitaxy blue laser diodes or electronic devices. In the GaN film growth method, a bare sapphire substrate is nitridated in a reactor, and then sequentially exposed to a surface pretreatment with a gas mixture of ammonia (NH.sub.3) and hydrochloric acid (HCl), and an additional nitridation. The obtained GaN film has a mirror surface with slight roughness.

Um método de crescer uma película do nitride do gallium da qualidade elevada (GaN) em uma taxa de crescimento elevada, que seja usada em diodos homoepitaxy do laser do azul ou em dispositivos eletrônicos. No método do crescimento da película de GaN, uma carcaça desencapada do sapphire está nitridated em um reator, e então exposto sequencialmente a um pretreatment de superfície com uma mistura do gás da amônia (NH.sub.3) e ácido hydrochloric (HCl), e um nitridation adicional. A película obtida de GaN tem uma superfície do espelho com aspereza ligeira.