A manufacturing method, and an integrated circuit resulting therefrom has a substrate with a semiconductor device thereon. A channel dielectric layer is deposited over the device and has an opening provided therein. A reducing process is performed in order to reduce the oxidation on the conductor and a conformal atomic liner is deposited in an atomic layer thickness to line the opening in the channel dielectric layer. A barrier layer is deposited over the conformal atomic liner and a seed layer is deposited over the barrier layer. A conductor core layer is deposited on the seed layer, filling the opening over the barrier layer and connecting to the semiconductor device.

Μια μέθοδος κατασκευής, και ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα που προκύπτει απ' αυτό έχουν ένα υπόστρωμα με μια συσκευή ημιαγωγών επ'αυτού. Ένα διηλεκτρικό στρώμα καναλιών κατατίθεται πέρα από τη συσκευή και παρέχει ένα άνοιγμα εκεί μέσα. Μια μειώνοντας διαδικασία εκτελείται προκειμένου να μειωθεί η οξείδωση στον αγωγό και ένα σύμμορφο ατομικό σκάφος της γραμμής κατατίθεται σε ένα ατομικό πάχος στρώματος για να ευθυγραμμίσει το άνοιγμα στο διηλεκτρικό στρώμα καναλιών. Ένα στρώμα εμποδίων κατατίθεται πέρα από το σύμμορφο ατομικό σκάφος της γραμμής και ένα στρώμα σπόρου κατατίθεται πέρα από το στρώμα εμποδίων. Ένα στρώμα πυρήνων αγωγών κατατίθεται στο στρώμα σπόρου, που γεμίζει το άνοιγμα πέρα από το στρώμα εμποδίων και τη σύνδεση με τη συσκευή ημιαγωγών.