A method of forming a pattern in which production of reaction products in the interface between an organic anti-reflective coating and a radiation sensitive material coating is suppressed, the number of residues of an etchable layer formed after etching is decreased, and which provides a etched pattern having high resolution and good dimensional accuracy. According to the method, an etchable layer (11) composed of polysilicon coating an organic anti-reflective coating (12), and a radiation sensitive material coating (13) composed of a chemically amplified resist material containing as acid generators both (a) onium salt compound and (b) at least one of a sulfone compound and a sulfonate compound are formed on a semiconductor substrate (10), the radiation sensitive material coating (13) is imagewise exposed through the mask (14) and developed to form a patterned radiation sensitive material coating (13b). Thereafter, preferably the anti-reflective coating is etched using a mixture gas of SO.sub.2 and O.sub.2, further the etchable layer is dry-etched to form a pattern of the etchable layer.

Een methode om een patroon waarin de productie van reactieproducten in de interface tussen een organische anti-weerspiegelende deklaag en een stralings gevoelige materiële deklaag wordt onderdrukt, het aantal residu's van een etchable laag te vormen vormde zich nadat het etsen is verminderd, en die een geëtst patroon verstrekt dat hoge resolutie en goede dimensionale nauwkeurigheid heeft. Volgens de methode, een etchable laag (11) die uit polysilicon wordt samengesteld die een organische anti-weerspiegelende deklaag (12) met een laag bedekt, en straling verzet een gevoelige materiële deklaag zich (13) die uit chemisch vergroot wordt samengesteld tegen materiaal dat aangezien de zure zoute samenstelling van generators zowel (a) onium als (b) minstens één van een sulfonsamenstelling en een sulfonaatsamenstelling op een halfgeleidersubstraat (10) bevat worden gevormd, wordt stralings gevoelige materiële deklaag (13) beeldsgewijs belicht door masker (14) en ontwikkeld om een gevormde stralings gevoelige materiële deklaag (13b) te vormen. Daarna, bij voorkeur wordt de anti-weerspiegelende deklaag geëtst gebruikend een mengselgas van SO.sub.2 en O.sub.2, bevorderen de etchable laag wordt droog-geëtst om een patroon van de etchable laag te vormen.