A method of forming a light emitting semiconductor device includes fabricating a stack of layers comprising an active region, and wafer bonding a structure including a carrier confinement semiconductor layer to the stack. A light emitting semiconductor device includes a first carrier confinement layer of a first semiconductor having a first conductivity type, an active region, and a wafer bonded interface disposed between the active region and the first carrier confinement layer. The light emitting semiconductor device may further include a second carrier confinement layer of a second semiconductor having a second conductivity type, with the active region disposed between the first carrier confinement layer and the second carrier confinement layer. The wafer bonded confinement layer provides enhanced carrier confinement and device performance.

Eine Methode der Formung eines hellen ausstrahlenden Halbleiterelements schließt das Fabrizieren eines Stapels Schichten mit ein, die eine aktive Region enthalten, und die Oblate, die eine Struktur einschließlich eine Fördermaschinebeschränkung-Halbleiterschicht zum Stapel abbindet. Ein helles ausstrahlendes Halbleiterelement schließt eine erste Fördermaschinebeschränkungschicht eines ersten Halbleiters ein, der eine erste Leitfähigkeitart, eine aktive Region und eine Oblate abgebundene Schnittstelle abgeschaffen wird zwischen der aktiven Region und der ersten Fördermaschinebeschränkungschicht hat. Das helle ausstrahlende Halbleiterelement kann eine zweite Fördermaschinebeschränkungschicht eines zweiten Halbleiters weiter einschließen, der eine zweite Leitfähigkeitart hat, wenn die aktive Region zwischen der ersten Fördermaschinebeschränkungschicht und der zweiten Fördermaschinebeschränkungschicht abgeschaffen ist. Die Oblate abgebundene Beschränkungschicht liefert erhöhte Fördermaschinebeschränkung und Vorrichtung Leistung.