The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor apparatus comprising a semiconductor device having a ferroelectric film and a surface-protective film, and an encapsulant member comprising a resin; the surface-protective film being formed of a polyimide. The present invention also provides a process for fabricating a resin-encapsulated semiconductor apparatus, comprising the steps of forming a film of a polyimide precursor composition on the surface of a semiconductor device having a ferroelectric film; heat-curing the polyimide precursor composition film to form a surface-protective film formed of a polyimide; and encapsulating, with an encapsulant resin, the semiconductor device on which the surface-protective film has been formed. The polyimide may preferably have a glass transition temperature of from 240.degree. C. to 400.degree. C. and a Young's modulus of from 2,600 MPa to 6 GPa. The curing may preferably be carried out at a temperature of from 230.degree. C. to 300.degree. C.

La actual invención proporciona a un aparato resina-encapsulado del semiconductor que abarca un dispositivo de semiconductor que tiene una película ferroelectric y una película surface-protective, y a miembro encapsulant que abarca una resina; la película surface-protective que es formada de un polyimide. La actual invención también proporciona un proceso para fabricar un aparato resina-encapsulado del semiconductor, abarcando los pasos de formar una película de una composición del precursor del polyimide en la superficie de un dispositivo de semiconductor que tiene una película ferroelectric; de aplicación en caliente la película de la composición del precursor del polyimide para formar una película surface-protective formó de un polyimide; y encapsulando, con una resina encapsulant, el dispositivo de semiconductor en el cual la película surface-protective se ha formado. El polyimide puede preferiblemente tener una temperatura de transición de cristal de 240.degree. C. a 400.degree. C. y un módulo de Young de a partir del 2.600 MPa a 6 GPa. El curar se puede realizar preferiblemente en una temperatura de 230.degree. C. a 300.degree. C.

 
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