A method of forming a capacitor and transistor are disclosed. Initially, a
substrate having a semiconductor material on a first surface is provided.
A layer of strontium nitride is then deposited over the first surface and
a gate electrode formed over the strontium nitride. Source and drains are
then formed in the first surface disposed laterally adjacent to the gate
electrode to leave a channel under the gate electrode. A dielectric layer
may be formed over the layer of strontium nitride prior to forming the
gate electrode. The dielectric layer may include strontium, titanium, and
oxygen. In one embodiment, the dielectric layer and the layer of strontium
nitride are epitaxial layers. In another embodiment the layer of strontium
nitride is formed by sputtering, chemical vapor deposition (CVD), or
atomic layer deposition (ALD). The dielectric layer may include strontium,
oxygen, and nitrogen, such as strontium oxynitride formed by sputtering,
CVD, or ALD.
Une méthode de former un condensateur et le transistor sont révélés. Au commencement, un substrat ayant un matériel de semi-conducteur sur une première surface est fourni. Une couche de nitrure de strontium est alors excédent déposé la première surface et une électrode de porte a formé au-dessus de la nitrure de strontium. La source et les drains sont alors formés dans la première surface disposée latéralement à côté de l'électrode de porte pour laisser un canal sous l'électrode de porte. Une couche diélectrique peut être formée au-dessus de la couche de la nitrure de strontium avant de former l'électrode de porte. La couche diélectrique peut inclure le strontium, le titane, et l'oxygène. Dans une incorporation, la couche diélectrique et la couche de la nitrure de strontium sont des couches épitaxiales. Dans une autre incorporation la couche de la nitrure de strontium est constituée par la pulvérisation, la déposition en phase vapeur (CVD), ou le dépôt atomique de couche (ALD). La couche diélectrique peut inclure le strontium, l'oxygène, et l'azote, tel que l'oxynitride de strontium constitué en pulvérisant, CVD, ou ALD.
