Optical proximity effects (OPEs) are a well-known phenomenon in photolithography. OPEs result from the structural interaction between the main feature and neighboring features. It has been determined by the present inventors that such structural interactions not only affect the critical dimension of the main feature at the image plane, but also the process latitude of the main feature. Moreover, it has been determined that the variation of the critical dimension as well as the process latitude of the main feature is a direct consequence of light field interference between the main feature and the neighboring features. Depending on the phase of the field produced by the neighboring features, the main feature critical dimension and process latitude can be improved by constructive light field interference, or degraded by destructive light field interference. The phase of the field produced by the neighboring features is dependent on the pitch as well as the illumination angle. For a given illumination, the forbidden pitch region is the location where the field produced by the neighboring features interferes with the field of the main feature destructively. The present invention provides a method for determining and eliminating the forbidden pitch region for any feature size and illumination condition. Moreover, it provides a method for performing illumination design in order to suppress the forbidden pitch phenomena, and for optimal placement of scattering bar assist features.

De optische nabijheidsgevolgen (OPEs) zijn een bekend fenomeen in fotolithografie. OPEs vloeien uit de structurele interactie tussen de belangrijkste eigenschap en de naburige eigenschappen voort. Het is bepaald door de huidige uitvinders dat dergelijke structurele interactie niet alleen de kritieke afmeting van de belangrijkste eigenschap bij het beeldvliegtuig, maar ook de procesbreedte van de belangrijkste eigenschap beïnvloeden. Voorts heeft men bepaald dat de variatie van de kritieke afmeting evenals de procesbreedte van de belangrijkste eigenschap een direct gevolg van lichte gebiedsinterferentie tussen de belangrijkste eigenschap en de naburige eigenschappen is. Afhankelijk van de fase van het gebied dat door de naburige eigenschappen wordt veroorzaakt, kunnen de belangrijkste eigenschap kritieke dimensie en de procesbreedte door constructieve lichte gebiedsinterferentie worden verbeterd, of door vernietigende lichte gebiedsinterferentie worden gedegradeerd. De fase van het gebied dat door de naburige eigenschappen wordt veroorzaakt is afhankelijk van de hoogte evenals de verlichtingshoek. Voor een bepaalde verlichting, is het verboden hoogtegebied de plaats waar het gebied dat door de naburige eigenschappen zich wordt veroorzaakt destructief in het gebied van de belangrijkste eigenschap mengt. De onderhavige uitvinding verstrekt een methode om het verboden hoogtegebied te bepalen en te elimineren voor om het even welke eigenschapgrootte en verlichtingsvoorwaarde. Voorts verstrekt het een methode om verlichtingsontwerp uit te voeren om de verboden hoogtefenomenen te onderdrukken, en voor optimale plaatsing van verspreidende staaf sta eigenschappen bij.

 
Web www.patentalert.com

< Extending the attributes of an application generated using a fourth generation programming tool

< Directly verifying a black box system

> Extended error correction for SEC-DED codes with package error detection ability

> Carousel bit mask system and method

~ 00060