A flip chip having a chip passivation layer disposed on a metalization layer. Terminal vias are formed in the passivation layer exposing a portion of the metalization layer and terminal metalization is disposed on the metalization layer at the terminal vias. A stress reducing layer is disposed on the chip passivation layer with underfill apertures formed in the stress reducing layer so as to expose selected portions of the chip passivation layer, thereby enhancing the adhesion of an underfill material to the flip chip.

Un morceau de chiquenaude ayant une couche de passivation de morceau disposée sur une couche de metalization. Des vias terminaux sont formés dans la couche de passivation exposant une partie de la couche de metalization et le metalization de borne est disposé sur la couche de metalization aux vias terminaux. Un effort réduisant la couche est disposé sur la couche de passivation de morceau avec des ouvertures d'underfill formées dans l'effort réduisant la couche afin d'exposer les parties choisies de la couche de passivation de morceau, augmentant de ce fait l'adhérence d'un matériel d'underfill au morceau de chiquenaude.