A magnetic tunnel junction (MTJ) memory cell and a magnetic random access memory (MRAM) incorporating the cells has upper and lower cell electrodes that are formed of bilayers that provide electrical connection between the cells and the copper word and bit lines of the MRAM. The bilayers are formed of a first layer of tantalum nitride or tungsten nitride and a second layer of tantalum or tungsten. In one embodiment TaN is formed directly on the copper and low-resistivity alpha-Ta is formed directly on the TaN. If the cells use an antiferromagnetic layer to fix the moment of the pinned ferromagnetic layer, then Pt--Mn is the preferred material formed over the alpha-Ta. The bilayer can function as a lateral electrode to connect a horizontally spaced-apart cell and a copper stud in the MRAM.

Uma pilha de memória magnética da junção do túnel (MTJ) e uma memória de acesso aleatório magnética (MRAM) que incorporam as pilhas têm os elétrodos superiores e mais baixos da pilha que são dados forma dos bilayers que fornecem a conexão elétrica entre as pilhas e a palavra de cobre e morderam linhas do MRAM. Os bilayers são dados forma de uma primeira camada de nitride do tantalum ou de nitride do tungstênio e de uma segunda camada de tantalum ou de tungstênio. Em uma incorporação o TaN é dado forma diretamente no cobre e o baixo-low-resistivity alfa-Ta é dado forma diretamente no TaN. Se as pilhas usarem uma camada antiferromagnetic reparar o momento da camada ferromagnetic fixada, a seguir pinta -- o manganês é o material preferido dado forma sobre alfa-Ta. O bilayer pode funcionar como um elétrodo lateral para conectar uma pilha horizontalmente espaçada-distante e um parafuso prisioneiro de cobre no MRAM.