A semiconductor electro-optical device such as a laser or modulator comprises a ridge of active and wave-guiding semiconductor layers extending between two facets. In the preferred embodiment, cavity length is relatively long, i.e., the facets are separated by greater than a millimeter. This lowers the current densities in the ridge for the same output beam power. Further, an oxygen-free passivation layer is continuously formed over at least one of the facets to prevent surface corrosion and avoid electrical surface traps. However, a standing-wave-shifted coating is further used on the facet with the passivation layer to reduce the electric field magnitude in the passivation layer.

Приспособление полупроводника электрооптическое such as лазер или модулятор/демодулятор состоит из зиги активно и развевать-napravl44 слоев полупроводника удлиняя между 2 фасетками. В предпочитаемом воплощении, длина полости относительно длиння, т.е., фасетки отделены greater than миллиметр. Это понижает текущие плотности в зиге для такой же силы луча выхода. Более потом, бескислородный слой запассивированности непрерывно сформирован над по крайней мере одной из фасеток для того чтобы предотвратить поверхностную корозию и избежать электрические ловушки поверхности. Однако, стоять-развевать-perenesennoe покрытие более добавочно использовано на фасетке с слоем запассивированности для уменьшения величины электрического поля в слое запассивированности.