A magnetoelectronics element (40) is provided that is comprised of a first magnetic layer (42), a first tunnel barrier layer (44) on the first magnetic layer (42), a second magnetic layer (46) on the first tunnel barrier layer (44) and a stressed over-layer (48) on the second magnetic layer (46), which is configured to alter a switching energy barrier of the second magnetic layer (46).

Um elemento do magnetoelectronics (40) é contanto que está compreendido de uma primeira camada magnética (42), de uma primeira camada de barreira (44) do túnel na primeira camada magnética (42), em uma segunda camada magnética (46) na primeira camada de barreira (44) do túnel e em uma sobre-camada forçada (48) na segunda camada magnética (46), que está configurarada para alterar uma barreira da energia do switching da segunda camada magnética (46).