Disclosed is a method of inspecting a reticle defining a circuit layer pattern that is used within a corresponding semiconductor process to generate corresponding patterns on a semiconductor wafer. A test image of the reticle is provided, and the test image has a plurality of test characteristic values. A baseline image containing an expected pattern of the test image is also provided. The baseline image has a plurality of baseline characteristic values that correspond to the test characteristic values. The test characteristic values are compared to the baseline characteristic values such that a plurality of difference values are calculated for each pair of test and baseline characteristic values. Statistical information is also collected.

Se divulga un método de examinar un retículo que define un patrón de la capa del circuito que se utilice dentro de un proceso correspondiente del semiconductor para generar patrones correspondientes en una oblea de semiconductor. Una imagen de la prueba del retículo se proporciona, y la imagen de la prueba tiene una pluralidad de valores de la característica de la prueba. Una imagen de la línea de fondo que contiene un patrón previsto de la imagen de la prueba también se proporciona. La imagen de la línea de fondo tiene una pluralidad de valores característicos de la línea de fondo que correspondan a los valores de la característica de la prueba. Los valores característicos de la prueba se comparan a los valores de la característica de la línea de fondo tales que una pluralidad de valores de la diferencia está calculada para cada par de valores de la característica de la prueba y de la línea de fondo. La información estadística también se recoge.