An improved method for producing optically smooth surfaces in silicon wafers during wet chemical etching involves a pre-treatment rinse of the wafers before etching and a post-etching rinse. The pre-treatment with an organic solvent provides a well-wetted surface that ensures uniform mass transfer during etching, which results in optically smooth surfaces. The post-etching treatment with an acetic acid solution stops the etching instantly, preventing any uneven etching that leads to surface roughness. This method can be used to etch silicon surfaces to a depth of 200 .mu.m or more, while the finished surfaces have a surface roughness of only 15-50 .ANG. (RMS).

Um método melhorado para produzir ótica superfícies lisas em wafers de silicone durante gravura a água-forte química molhada envolve uma enxaguadura do pre-treatment dos wafers antes gravura a água-forte e de uma enxaguadura da borne-gravura a água-forte. O pre-treatment com um solvente orgânico fornece uma superfície bem-molhada que assegure transferência maciça uniforme durante gravura a água-forte, que resulta em superfícies ótica lisas. O tratamento da borne-gravura a água-forte com uma solução ácida acetic para gravura a água-forte imediatamente, impedindo toda a gravura a água-forte que desigual aquele conduzir à aspereza de superfície. Este método pode ser usado gravar superfícies do silicone a uma profundidade do mu.m 200 ou de mais, quando as superfícies terminadas tiverem uma aspereza de superfície do ANG somente 15-50. (RMS).

 
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