The present invention is an inverted III-nitride light-emitting device (LED) with enhanced total light generating capability. A large area device has an n-electrode that interposes the p-electrode metallization to provide low series resistance. The p-electrode metallization is opaque, highly reflective, and provides excellent current spreading. The p-electrode at the peak emission wavelength of the LED active region absorbs less than 25% of incident light per pass. A submount may be used to provide electrical and thermal connection between the LED die and the package. The submount material may be Si to provide electronic functionality such as voltage-compliance limiting operation. The entire device, including the LED-submount interface, is designed for low thermal resistance to allow for high current density operation. Finally, the device may include a high-refractive-index (n>1.8) superstrate.

Η παρούσα εφεύρεση είναι μια εκπέμπουσα φως συσκευή ΙΙΙ-ΝΙΤΡΙΔΊΩΝ (οδηγήσεις) με το ενισχυμένο συνολικό φως που παράγει την ικανότητα. Μια συσκευή μεγάλης περιοχής έχει ένα ν-ηλεκτρόδιο που παρεμβάλλει την επιμετάλλωση π-ηλεκτροδίων για να παρέχει τη χαμηλή αντίσταση σειράς. Η επιμετάλλωση π-ηλεκτροδίων είναι αδιαφανής, ιδιαίτερα αντανακλαστική, και παρέχει την άριστη τρέχουσα διάδοση. Το π-ηλεκτρόδιο στο μέγιστο μήκος κύματος εκπομπής της ενεργού περιοχής των οδηγήσεων απορροφά λιγότερο από 25% του συναφούς φωτός ανά πέρασμα. Ένα submount μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να παρέχει την ηλεκτρική και θερμική σύνδεση μεταξύ του κύβου των οδηγήσεων και της συσκευασίας. Το υλικό submount μπορεί να είναι Si για να παρέχει την ηλεκτρονική λειτουργία όπως η τάση-συμμόρφωση που περιορίζει τη λειτουργία. Η ολόκληρη συσκευή, συμπεριλαμβανομένης της οδηγημένης -οδηγώ-σuψμοuντ διεπαφής, σχεδιάζεται για τη χαμηλή θερμική αντίσταση για να επιτρέψει την υψηλή λειτουργία πυκνότητας ρεύματος. Τέλος, η συσκευή μπορεί να περιλάβει έναν υψηλός-διαθλαστικός-δείκτη (superstrate ν 1.8).