Electron beam lithography is used to make very small mechanical structures in single-crystal silicon. The structure may be a mesh having beam widths of less than 30 nm and suspended in a wafer, above a substrate. An rf drive voltage applied between the suspended structure and the underlying substrate produces vibration at or near the resonant frequency of the structure, and optical interference techniques are used to detect and measure the motion of the structure. The small dimensions of the structure provides a resonant frequency above 40 MHz. In one embodiment, the structure is a mesh formed of interconnected, very narrow, high aspect ratio parallel beams spaced about 315 nm apart. This results in a nanostructure having a low mass and a large relative surface area. The mesh is illuminated by laser light having a wavelength greater than the spacing between adjacent beams in the mesh so that small amplitude oscillations can be measured, with the detected change in optical reflection being proportional to the drive amplitude. The suboptical-wavelength features of the mesh provide a high measurement sensitivity, so that small changes in the mechanical properties of the mesh, resulting in corresponding small changes in the amplitude of the vibration, can be detected. A variable DC bias voltage applied to the vibrating structure allows adjustment of the motion of the structure and tuning of its vibration.

Elektronenstrahllithographie wird verwendet, um sehr kleine mechanische Strukturen im Einzelnkristall Silikon zu bilden. Die Struktur kann ein Ineinandergreifen sein, das Lichtstrahlbreiten von weniger als 30 nm und verschoben in einer Oblate, über einem Substrat hat. Eine Rf Antrieb Spannung, die zwischen der verschobenen Struktur und dem zugrundeliegenden Substrat angewendet wird, produziert Erschütterung bei oder nahe der Resonanzfrequenz der Struktur, und optische Störung Techniken werden verwendet, um die Bewegung der Struktur zu ermitteln und zu messen. Die kleinen Maße der Struktur liefert eine Resonanzfrequenz über 40 MHZ. In einer Verkörperung ist die Struktur ein Ineinandergreifen, das von zusammengeschaltet, sehr Enge, die hohen Längenverhältnis-Ähnlichkeit Lichtstrahlen gebildet wird, die auseinander über 315 nm gesperrt werden. Dieses ergibt ein nanostructure, das eine niedrige Masse und eine große relative Fläche hat. Das Ineinandergreifen wird durch das Laserlicht belichtet, das eine Wellenlänge hat, die zwischen angrenzenden Lichtstrahlen im Ineinandergreifen grösser als der Abstand ist, damit kleine Umfang Pendelbewegungen gemessen werden können, mit der ermittelten Änderung in der optischen Reflexion, die zum Antrieb Umfang proportional ist. Die Subopticalwellenlänge Eigenschaften des Ineinandergreifens liefern eine hohe Maßempfindlichkeit, damit kleine Änderungen in den mechanischen Eigenschaften des Ineinandergreifens, resultierend in entsprechenden kleinen Änderungen im Umfang der Erschütterung, ermittelt werden können. Eine variable DC Vorspannung, die an der vibrierenden Struktur angewendet wird, erlaubt Justage der Bewegung der Struktur und des Abstimmens seiner Erschütterung.