An organic semiconductor film is fabricated by applying a solution containing an organic semiconductor material and a solvent to a substrate, e.g., by solution casting, and evaporating the solvent. The characteristics of the substrate surface, the organic semiconductor material, and the process parameters are selected to provide desirable nucleation and crystal growth. The resultant organic semiconductor film contains a large area, e.g., a continuous area greater than 1 cm.sup.2, that exhibits a relatively high charge carrier mobility of at least about 10.sup.-4 cm.sup.2 V.sup.- s.sup.-1 at room temperature.

Ein organischer Halbleiterfilm wird fabriziert, indem man eine Lösung anwendet, die ein organisches Halbleitermaterial und ein Lösungsmittel an einem Substrat z.B. durch Lösung Gußteil enthält und das Lösungsmittel verdunstet. Die Eigenschaften der Substratoberfläche, des organischen Halbleitermaterials und der Prozeßparameter werden vorgewählt, um wünschenswerte Kernbildung und Kristallwachstum zur Verfügung zu stellen. Der resultierende organische Halbleiterfilm enthält einen großen Bereich z.B. einen ununterbrochenen Bereich grösser als 1 cm.sup.2, dieses Ausstellungen eine verhältnismäßig hohe Ladungsträgerbeweglichkeit von mindestens ungefähr 10.sup.-4 cm.sup.2 V.sup. - s.sup.-1 bei der Raumtemperatur.