Impurities are extracted from a thin-film device structure based on mercury, cadmium, zinc, and/or tellurium, such as HgCdTe, CdTe, CdZnTe, or HgCdZnTe. The impurities are extracted by furnishing a sink medium comprising molten bismuth, and contacting the contaminated structure to the sink medium for a period of time sufficiently long that impurities diffuse out of the structure and into the bismuth for removal. The molten bismuth may additionally contain small amounts of one or more of the major components of the structure (mercury, cadmium, zinc, and/or tellurium) to inhibit loss of these elements from the structure.

As impurezas são extraídas de uma estrutura thin-film do dispositivo baseada no mercúrio, no cádmio, no zinco, e/ou no tellurium, tal como HgCdTe, CdTe, CdZnTe, ou HgCdZnTe. As impurezas são extraídas fornecendo um meio do dissipador que compreende o bismuto derretido, e contatando a estrutura contaminada ao meio do dissipador por um período de tempo suficientemente longo que as impurezas difundem fora da estrutura e no bismuto para a remoção. O bismuto derretido pode adicionalmente conter quantidades pequenas de uma ou mais dos componentes principais da estrutura (mercúrio, cádmio, zinco, e/ou tellurium) para inibir a perda destes elementos da estrutura.