High density, photon-gated persistent spectral holeburning is effectuated in rare earth doped II-VI compounds such as MgS, CaS, BaS and SrS. Two-photon ionization of rare earth ions is performed, selected by a narrow band laser, producing narrow regions of reduced absorption (optical holes) in the absorption spectrum of a rare earth ion. These holes are useful for such applications as high density memory (especially, high density re-writable or photo-erasable memory), spectral holographic memory, communication, etc., and demonstrate great survivability over reading cycles, thermal cycles and elevated temperatures. The embedment of the rare earth doped II-VI compound in a matrix comprising a polymeric material (such as PMMA), prior to the effectuation of the holeburning, may be advantageous for many embodiments. Inventive practice has successfully burned two hundred forty photon gated spectral holes in the zero phonon line (ZPL) of the 4f-5d transition of Eu.sup.2+ in a magnesium sulfide host. CaS:Eu, CaS:Eu,Sm and MgS:Eu are among the materials which have demonstrated a very high density of spectral holes.

Het high-density, foton-met poorten blijvende spectrale holeburning wordt bewerkstelligd in zeldzame aarde smeerde IIVI samenstellingen zoals MgS, CaS, BaS en SrS. De twee-foton ionisatie van zeldzame aardeionen wordt uitgevoerd, geselecteerd door een smalle bandlaser, producerend smalle gebieden van verminderde absorptie (optische gaten) in het absorptiespectrum van een zeldzame aardeion. Deze gaten zijn nuttig voor dergelijke toepassingen zoals high-density geheugen (vooral, high-density re-writable of foto-uitwisbaar geheugen), spectraal holografisch geheugen, mededeling, enz., en tonen grote mogelijkheid tot overleven over lezingscycli, thermische cycli en opgeheven temperaturen aan. Embedment van de zeldzame aarde smeerde IIVI samenstelling in een matrijs bestaand uit een polymeer materiaal (zoals PMMA), voorafgaand aan effectuation van het holeburning, kan voor vele belichamingen voordelig zijn. De vindingrijke praktijk heeft met succes twee honderd veertig foton spectrale gaten met poorten in de nul fononlijn (ZPL) van de overgang 4f-5d van Eu.sup.2 + in een gastheer van het magnesiumsulfide gebrand. CaS:Eu, zijn CaS:Eu, Sm en MgS:Eu onder de materialen die zeer high-density van spectrale gaten hebben aangetoond.