Naturally occurring polarization-induced electric fields in a semiconductor light emitter with crystal layers grown along a polar direction are reduced, canceled or reversed to improve the emitter's operating efficiency and carrier confinement. This is accomplished by reducing differences in the material compositions of adjacent crystal layers, grading one or more layers to generate space charges and quasi-fields that oppose polarization-induced charges, incorporating various impurities into the semiconductor that ionize into a charge state opposite to the polarization induced charges, inverting the sequence of charged atomic layers, inverting the growth sequence of n- and p-type layers in the device, employing a multilayer emission system instead of a uniform active region and/or changing the in-plane lattice constant of the material.

Worden de natuurlijk voorkomende polarisatie-veroorzaakte elektrische gebieden in een halfgeleider lichte zender met kristallagen die langs een polaire richting worden gekweekt verminderd, of geannuleerd omgekeerd om de efficiency en de dragerbeperking van de zender te verbeteren de werkende. Dit wordt verwezenlijkt door verschillen in de materiële samenstellingen van aangrenzende kristallagen te verminderen, sorterend één of meerdere lagen om ruimtelasten te produceren en de quasi-gebieden die zich polarisatie-veroorzaakte lasten verzetten, die diverse onzuiverheden opnemen in de halfgeleider die in een lastenstaat tegengesteld aan de polarisatie ioniseren veroorzaakten lasten, omkerend de opeenvolging van geladen atoomlagen, omkerend de de groeiopeenvolging die van n - en p-type lagen in het apparaat, een multilayer emissiesysteem in plaats van een eenvormig actief gebied aanwendt en/of het in-vliegtuigrooster constant van het materiaal verandert.