A non-volatile semiconductor memory device comprising a device isolation insulation layer, a floating gate, and control gate, and a booster electrode. The device isolation insulation layer is formed on a semiconductor substrate, and is for defining a device region. The floating gate is formed above the device region and has a pair of first side faces opposed to a side face of the device isolation insulation layer which is located on the device region side. The control gate is formed above the floating gate. The booster electrode has faces opposed to a pair of second surfaces of the floating gate which are substantially perpendicular to the pair of first side faces. A distance between the pair of first side faces of the floating gate is equal or not more than a width of the device region defined by the device isolation insulation layer. Dimensions of the floating gate are determined based on a coupling ratio between the floating gate and the booster electrode.

Слаболетучее приспособление памяти полупроводника состоя из слоя изоляции изоляции приспособления, плавая строба, и строба управления, и электрода ракеты -носителя. Слой изоляции изоляции приспособления сформирован на субстрате полупроводника, и для определять зону приспособления. Плавая строб сформирован над зоной приспособления и имеет пару сторон первой стороны сопротивляемую к бортовой стороне слоя изоляции изоляции приспособления расположен на стороне зоны приспособления. Строб управления сформирован над плавая стробом. Электрод ракеты -носителя имеет стороны сопротивляемые к паре вторых поверхностей плавая строба существенн перпендикулярны к паре сторон первой стороны. Расстояние между парой сторон первой стороны плавая строба равно или не больше чем ширина зоны приспособления определенной слоем изоляции изоляции приспособления. Обусловлены размеры плавая строба основали на коэффициенте соединения между плавая стробом и электродом ракеты -носителя.