A MEMs scanning device has a variable resonant frequency. In one embodiment, the MEMs device includes a flexible arm that extends from a oscillatory body. An electrical field applies a force to the flexible arm, thereby bending the flexible arm to shift the moment of inertia of the oscillatory body and a secondary mass carried by the flexible arm. The shifted moment of inertia changes the resonant frequency of the MEMs device. In another embodiment, an absorptive material forms a portion of a torsional arm that supports the oscillatory body. The mechanical properties of the absorptive material can be varied by varying the concentration of a gas surrounding the absorptive material. The varied mechanical properties change the resonant frequency of the scanning device. A display apparatus includes the scanning device and the scanning device scans about two or more axes, typically in a raster pattern. Various approaches to controlling the frequency responses of the scanning device are described, including active control of MEMs scanners and passive frequency tuning.

Un dispositivo de exploración de MEMs tiene una frecuencia resonante variable. En una encarnación, el dispositivo de MEMs incluye un brazo flexible que extienda de un cuerpo oscilatorio. Un campo eléctrico aplica una fuerza al brazo flexible, de tal modo doblando el brazo flexible para cambiar de puesto el momento de la inercia del cuerpo oscilatorio y de una masa secundaria llevados por el brazo flexible. El momento cambiado de puesto de la inercia cambia la frecuencia resonante del dispositivo de MEMs. En otra encarnación, un material absorbente forma una porción de un brazo torsional que apoye el cuerpo oscilatorio. Las características mecánicas del material absorbente pueden ser variadas variando la concentración de un gas que rodea el material absorbente. Las características mecánicas variadas cambian la frecuencia resonante del dispositivo de exploración. Un aparato de la exhibición incluye el dispositivo de exploración y el dispositivo de exploración explora cerca de dos o más hachas, típicamente en un patrón de la trama. Los varios acercamientos a controlar las respuestas de frecuencia del dispositivo de exploración se describen, incluyendo el control activo de los exploradores de MEMs y de templar pasivo de la frecuencia.

 
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