A method for new product mask evaluation is provided. Focus exposure matrices are printed at one or more layers (e.g., active gate) on full flow production wafers. The focus exposure matrices are then analyzed to produce data that facilitates detecting printed defects. The full flow production wafers are also subjected to end of line electrical testing to determine bit level errors. Print defects can be correlated with bit level errors to increase confidence in detected defects. The method includes a hierarchy of testing layers, each of which produce data that can be employed in detecting defects in a reticle and/or producing a yield analysis. The method involves scanning a reticle upon which the new product mask is etched and performing a printability simulation to determine what affect, if any, detected reticle defects will have on printing defects on a wafer. After the reticle is scanned, full flow production wafers printed from the pattern on the reticle can be scanned for defects, as can resist-on-silicon flat test wafers, where a higher signal to noise ratio facilitates detecting defects that may otherwise not be detected. The reticle scanning can include critical dimension measuring by scanning electron microscopy means and/or scatterometry means.

Метод для оценки маски нового изделие обеспечен. Матрицы выдержки фокуса напечатаны на one or more слоях (например, активно стробе) на полных вафлях продукции подачи. Матрицы выдержки фокуса после этого проанализированы для того чтобы произвести данные облегчают обнаружить напечатанные дефекты. Полные вафли продукции подачи также подвергаются к концу испытывать линии электрический для того чтобы обусловить ошибки бита ровные. Дефекты печати можно сопоставить с ошибками уровня бита для того чтобы увеличить доверие в обнаруженный дефект. Метод вклюает иерархию испытывая слоев, каждое из которых производит данные которые можно использовать в обнаруживать изменяют в перекрещении and/or производить анализ выхода. Метод включает просмотреть перекрещение на маска нового изделие вытравлена и выполняющ имитацию printability для того чтобы обусловить влияет на, если любые, обнаруженные дефекты перекрещения будут иметь на печатая дефектах на вафле. После того как перекрещение просмотрено, полные вафли продукции подачи напечатанные от картины на перекрещении можно просмотреть для дефектов, как могут вафли испытания сопротивлять-на-kremni4 плоские, где более высокий коэффициент signal to noise облегчает обнаружить дефекты которые не могут в противном случае быть обнаружены. Скеннирование перекрещения может включить критически размер измеряя путем просматривать середины микроскопии электрона and/or scatterometry середины.