The present invention provides a sputter profile simulation method which reduces a calculation time. The method comprises the steps of calculating sputter trajectories of particles emitted from a sputter target; projecting the sputter trajectories onto one or more first planes; extracting an outline of a contact hole on a second plane parallel to one of the first planes; defining two shadow points preventing the particles from going to a film-growth calculation coordinates point; and judging that, out of the sputter particle trajectories projected on the first plane, the sputter trajectories between two lines as film-growth contributing trajectories, the two lines joining the film-growth calculation coordinates point to each of the two shadow points.

Присытствыющий вымысел обеспечивает метод имитации профиля sputter уменьшает время вычисления. Метод состоит из шагов высчитывать sputter траектория частиц испущенных от цели sputter; проектировать траекторию sputter на one or more первые строгает; извлекать план отверстия контакта на второй плоскости параллельной до одно из первого строгает; определять 2 пункта тени предотвращая частицы от идти к вычислению пленк-rosta координирует пункт; и судящ то, из траектории частицы sputter запроектированной на первой плоскости, траектория sputter между 2 линиями как траектория пленк-rosta способствуя, 2 линии соединяя вычисление пленк-rosta координирует пункт к каждому из 2 пунктов тени.