A method of fabricating a group III-V nitride compound semiconductor in
which high crystallinity is achieved without lack of nitrogen, even when
it is grown at a low temperature, and a method of fabricating a
semiconductor device employing the method of fabricating a group III-V
nitride compound semiconductor are provided. Along with carrier gas, a gas
source including a nitrogen-including compound such as hydrazine, a
substitution product of hydrazine, amine or azide as a nitrogen source is
supplied to a reaction tube of a MOCVD apparatus. These nitrogen-including
compounds have higher decomposition efficiencies than those of ammonia.
Therefore, even though MOCVD is performed at a growth temperature below or
equal to 900.degree. C., a large amount of nitrogen which contributes
growth is supplied onto the growth surface of a substrate (that is, an
underlying layer). As a result, crystallinity of the group III-V nitride
compound semiconductor layer is improved. Further, the amount of the
supplied nitrogen source relative to the amount of the source of the group
V element supplied can be made smaller.
Μια μέθοδος μια ομάδα IIIV σύνθετος ημιαγωγός νιτριδίων στον οποίο η υψηλή διαύγεια επιτυγχάνεται χωρίς έλλειψη αζώτου, ακόμα και όταν αυξάνεται σε μια χαμηλή θερμοκρασία, και μια μέθοδος μια συσκευή ημιαγωγών που υιοθετεί τη μέθοδο μια ομάδα IIIV σύνθετος ημιαγωγός νιτριδίων παρέχονται. Μαζί με το μεταφορέα αέριο, μια αέριο πηγή συμπεριλαμβανομένης μιας άζωτο-συμπεριλαμβάνουσας ένωσης όπως η υδροζίνη, ενός προϊόντος αντικατάστασης της υδροζίνης, της αμίνης ή του αζιδίου ως πηγή αζώτου παρέχεται σε έναν σωλήνα αντίδρασης μιας συσκευής MOCVD. Αυτοί άζωτο-συμπεριλαμβανομένου των ενώσεων έχουν τις υψηλότερες αποδοτικότητες αποσύνθεσης από εκείνοι της αμμωνίας. Επομένως, ακόμα κι αν το MOCVD εκτελείται σε μια θερμοκρασία μικρότερο ή ίσο ένα 900.degree. Γ. αύξησης, ένα μεγάλο ποσό αζώτου που συμβάλλει την αύξηση παρέχεται επάνω στην επιφάνεια αύξησης ενός υποστρώματος (δηλαδή ένα ελλοχεύον στρώμα). Κατά συνέπεια, η διαύγεια της ομάδας IIIV σύνθετο στρώμα ημιαγωγών νιτριδίων βελτιώνεται. Περαιτέρω, το ποσό της παρεχόμενης πηγής αζώτου σχετικά με το ποσό της πηγής της ομάδας Β στοιχείο παρεχόμενο μπορεί να γίνει μικρότερο.