A method for forming a dielectric layer of a semiconductor device is disclosed. A semiconductor wafer is loaded into a reaction chamber. A source gas mixture containing at least two mixed chemical reactants is introduced into the reaction chamber, thereby chemically adsorbing a portion of the source gas mixture onto a surface of the semiconductor wafer. The chamber is purged or pumped to remove physisorbed reactants therefrom. The source gas mixture chemically adsorbed on the surface of the semiconductor wafer is oxidized to form an atomic layer.

Een methode om een diëlektrische laag van een halfgeleiderapparaat te vormen wordt onthuld. Een halfgeleiderwafeltje wordt geladen in een reactiekamer. Een brongasmengsel dat minstens twee gemengde chemische reactanten bevat wordt geïntroduceerd in de reactiekamer, daardoor chemisch adsorberend een gedeelte van het brongasmengsel op een oppervlakte van het halfgeleiderwafeltje. De kamer wordt gezuiverd of gepompt om te verwijderen physisorbed daarvan reactanten. Het brongasmengsel dat chemisch op de oppervlakte van het halfgeleiderwafeltje is wordt geadsorbeerd geoxydeerd om een atoomlaag te vormen.