A nonvolatile ferroelectric memory device and a method for detecting a weak cell using the same are provided. The nonvolatile ferroelectric memory device includes: a nonvolatile ferroelectric memory cell driver including a top cell array and a bottom cell array, a sensing amplifier formed between the top and bottom cell arrays for sensing the top and bottom cell arrays, and a wordline driver for driving a wordline of the top and bottom cell arrays; an X-decoder for selectively outputting a wordline decoding signal to the wordline driver; and a pulse width generating unit for varying a width of a restore pulse PW1 and outputting the varied width to the wordline driver to detect a weak cell of the top and bottom cell arrays.

Un dispositivo de memoria ferroelectric permanente y un método para detectar una célula débil el usar igual se proporcionan. El dispositivo de memoria ferroelectric permanente incluye: un conductor ferroelectric permanente de la célula de memoria incluyendo un arsenal de célula superior y un arsenal de célula inferior, un amplificador de detección formado entre la tapa y los órdenes de célula del fondo para detectar los órdenes de célula de la tapa y del fondo, y un conductor del wordline para conducir un wordline de los órdenes de célula de la tapa y del fondo; un X-decodificador para selectivamente hacer salir una señal el descifrar del wordline al conductor del wordline; y una anchura del pulso que genera la unidad para variar una anchura de un pulso PW1 del restore y hacer salir la anchura variada al conductor del wordline para detectar una célula débil de los órdenes de célula de la tapa y del fondo.