A method of manufacturing a semiconductor device is obtained which is capable of evading generation of a short circuit between wirings in an upper wiring layer even if a part of an upper surface of an FSG film is exposed by variations in a production step. After a USG film (4) is deposited to a thickness of 1 Hm over an entire surface of an FSG film (3), the USG film (4) is polished and removed by a thickness of 900 nm from an upper surface thereof by the CMP method. At this time, part of an upper surface of the FSG film (3) is exposed by variations in a production step. Next, the surface of the interlayer dielectric film (50) is cleaned with a cleaning liquid whose etching rate to the FSG film (3) and etching rate to the USG film (5) are substantially the same. Such a cleaning liquid may be, for example, an ammonia hydrogen peroxide mixture of NH.sub.4 OH:H.sub.2 O.sub.2 :H.sub.2 O=1:1:20. The structure shown in FIG. 5 is dipped in the above-mentioned ammonia hydrogen peroxide mixture for 60 seconds to clean the surface of the interlayer dielectric film (50).

Een methode om een halfgeleiderapparaat te vervaardigen wordt verkregen dat generatie van een kort:sluiten kan vermijden tussen bedradingen in een hogere bedradingslaag zelfs als een deel van een hogere oppervlakte van een film FSG door variaties in een productiestap wordt blootgesteld. Nadat een USG film (4) aan een dikte van 1 Hm over een volledige oppervlakte van een FSG film (3) wordt gedeponeerd, is de USG film (4) opgepoetst daarvan en verwijderd door een dikte van 900 NM uit een hogere oppervlakte door de methode CMP. Op dit moment, wordt een deel van een hogere oppervlakte van de FSG film (3) blootgesteld door variaties in een productiestap. Daarna, wordt de oppervlakte van tussenlaag diëlektrische film (50) schoongemaakt met een schoonmakende vloeistof waarvan etstarief aan de FSG film (3) en etstarief aan de USG film (5) wezenlijk het zelfde zijn. Een dergelijke schoonmakende vloeistof kan, bijvoorbeeld, een het peroxydemengsel van de ammoniakwaterstof van NH.sub.4 OH:H.sub.2 O.sub.2:H.sub.2 O=1:1:20 zijn. De structuur die in FIG. wordt getoond. 5 worden ondergedompeld in het bovengenoemde het peroxydemengsel van de ammoniakwaterstof 60 seconden om de oppervlakte van tussenlaag diëlektrische film (50) schoon te maken.