Disclosed is semiconductor memory device and a method for correcting a data error therein. The device comprises a memory cell array that stores a plurality of data bits and a plurality of check bits corresponding to the plurality of data bits. A read circuit is further provided that performs an operation of reading out the plurality of data bits and the plurality of check bits from the memory cell array. The semiconductor memory device further comprises error circuits for correcting a first error in the data bits of the first group and a second error in the data bits of the second group, respectively. The error circuit receives in parallel odd-numbered and even-numbered data and check bits read out from the memory cell array during a first cycle of a read mode of operation and generates first syndrome bits and second syndrome bits. During a second cycle of the read mode of operation, the circuit corrects the error in the odd-numbered data bits and the error in the even-numbered data bits responsive to the first and the second syndrome bits, respectively.

Gegeben Halbleiterspeichervorrichtung und eine Methode für eine Datenstörung darin beheben frei. Die Vorrichtung enthält eine Speicherzelle Reihe, die eine Mehrzahl der Informationsbits und eine Mehrzahl der Überprüfung Spitzen speichert, die der Mehrzahl der Informationsbits entsprechen. Ein gelesener Stromkreis ist weiter, vorausgesetzt daß einen Betrieb des Messwertes heraus die Mehrzahl der Informationsbits und die Mehrzahl der Überprüfung Spitzen von der Speicherzelle Reihe durchführt. Die weitere Halbleiterspeichervorrichtung enthält Störung Stromkreise für das Beheben einer ersten Störung in den Informationsbits der ersten Gruppe und der zweiten Störung in den Informationsbits der zweiten Gruppe, beziehungsweise. Der Störung Stromkreis empfängt in den parallelen ungeraden und gleichen Daten- und Überprüfungsspitzen, die von der Speicherzelle Reihe während eines ersten Zyklus einer gelesenen Betriebsart ausgelesen werden und erzeugt erste Syndromspitzen und zweite Syndromspitzen. Während eines zweiten Zyklus der gelesenen Betriebsart, behebt der Stromkreis die Störung in den ungeraden Informationsbits und die Störung in den gleichen Informationsbits, die den ersten und zweiten Syndromspitzen, beziehungsweise entgegenkommend sind.