The present invention provides a photovoltaic device being capable of generating a large amount of current even with thin joined semiconductor layers, has a high photoelectric conversion efficiency and can be manufactured inexpensively at a low temperature together with a manufacturing method of the same, a photovoltaic device integrated with a building material and a power-generating apparatus. The photovoltaic device is formed by depositing joined semiconductor layers on a substrate, wherein a ratio of projected areas of regions on a surface of the joined semiconductor layers that have heights not smaller than a center value of concavities and convexities to a projected area of the entire surface of the joined semiconductor layers is higher than a ratio of projected areas of regions on the surface of the substrate that have heights not smaller than a center value of concavities and convexities on a surface of the substrate to a projected area of the entire surface of the substrate.

Die anwesende Erfindung versieht eine photo-voltaische Vorrichtung, die zum Erzeugen einer großen Menge von gegenwärtigem sogar mit dünnen verbindenden Halbleiterschichten fähig ist, hat eine hohe photoelektrische Umwandlung Leistungsfähigkeit und kann bei einer niedrigen Temperatur zusammen mit einer Produktionsmethode vomselben, von einer photo-voltaischen Vorrichtung, die mit einem Baumaterial integriert werden und von einem power-generating Apparat billig hergestellt werden. Die photo-voltaische Vorrichtung wird durch niederlegende verbindende Halbleiterschichten auf einem Substrat gebildet, worin ein Verhältnis der projizierten Bereiche von Regionen auf einer Oberfläche der verbindenden Halbleiterschichten, die die Höhen haben, die nicht kleiner, als ein Mittelwert von Konkavität und convexities sind zu einem projizierten Bereich der gesamten Oberfläche der verbindenden Halbleiterschichten höher als ein Verhältnis der projizierten Bereiche der Regionen auf der Oberfläche des Substrates, die die Höhen haben, die nicht kleiner, als ein Mittelwert sind von Konkavität und von convexities auf einer Oberfläche des Substrates zu einem projizierten Bereich der gesamten Oberfläche des Substrates ist.

 
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