A silicon based PT/PZT/PT sandwich structure is disclosed. A dielectric layer is formed over a semiconductor substrate. The dielectric layer preferably comprises a silicon dioxide layer. A first and the second conductive films are sequentially formed over the dielectric layer. A first ferroelectric film is formed over the first and second conductive films. A second ferroelectric film is formed over the first ferroelectric film. A third ferroelectric film is formed over the second ferroelectric film. The resulting structure is annealed. A third and fourth conductive films are sequentially formed over the third ferroelectric layer. The third and fourth conductive films are patterned.

Een silicium gebaseerde PT/PZT/PT sandwichstructuur wordt onthuld. Een diëlektrische laag wordt gevormd over een halfgeleidersubstraat. De diëlektrische laag bestaat bij voorkeur uit een laag van het siliciumdioxyde. Eerste en tweede geleidende films worden opeenvolgend gevormd meer dan de diëlektrische laag. Een eerste ferroelectric film wordt gevormd over de eerste en tweede geleidende films. Een tweede ferroelectric film wordt gevormd over de eerste ferroelectric film. Een derde ferroelectric film wordt gevormd over de tweede ferroelectric film. De resulterende structuur wordt onthard. Een derde en vierde geleidende films worden opeenvolgend gevormd meer dan de derde ferroelectric laag. Het derde en de vierde geleidende films zijn gevormd.