The present invention relates to a semiconductor device with quantum dots and a method of manufacturing the same, and a structure of the semiconductor device which can control an emission wavelength of the quantum dots and a method of manufacturing the same are provided. The semiconductor device comprises a compound semiconductor substrate containing at least three elements, and quantum dots which are formed on the compound semiconductor substrate and whose emission wavelength is adjusted by the lattice constant of the compound semiconductor substrate.

La presente invenzione riguarda un dispositivo a semiconduttore con i puntini di quantum e un metodo di produzione dello stesso e una struttura del dispositivo a semiconduttore che può controllare una lunghezza d'onda dell'emissione dei puntini di quantum e un metodo di produzione dello stesso è fornita. Il dispositivo a semiconduttore contiene un substrato a semiconduttore compound che contiene almeno tre elementi ed il quantum punteggia che sono formati sul substrato a semiconduttore compound e di cui la lunghezza d'onda dell'emissione è registrata dal costante della grata del substrato a semiconduttore compound.